Високоефективне джерело багатозарядних іонів металів

Конструювання електричних та електронних пристроїв
Відповісти
Administrator
Адміністратор сайту
Повідомлень: 22
З нами з: 22 вересня 2018, 13:34
Звідки: Київ
Контактна інформація:

Високоефективне джерело багатозарядних іонів металів

Повідомлення Administrator » 04 січня 2019, 10:17

Завдяки іонній імплантації вчені та інженери створюють напівпровідникові прилади та проводять процес легування металів з метою надання їм необхідних для технологічного виробництва характеристик. До результатів практичного втілення даної технології можна віднести розроблювані завдяки ній транзисторні прилади та напівпровідникові мікросхеми, біполярні транзистори і т. д.

Розробка на Іон
Чималим досягненням у даній сфері можна вважати ноу-хау авторства Ворошила Олексія Івановича, інженера Інституту прикладної фізики НАН України. Ним було розроблене високоефективне джерело багатозарядних іонів металів.
Високоефективне джерело багатозарядних іонів металів.jpg
Високоефективне джерело багатозарядних іонів металів
Це технічне рішення покликане полегшити процес проведення іонної імплантації матеріалів одно/двозарядними іонами металів (Be, Fe, Cr, Ni, Zr, Mo, W та інші) та імітаційних досліджень впливу іонного опромінення на конструкційні матеріали ядерної та термоядерної техніки.
До плюсів розробки зараховують той факт, що джерело металевих іонів уможливлює генерування пучків одно- та двозарядних іонів металів на основі іонно-плазмового розпилення. Технологія щодо конструювання робочого середовища, яка використовується в іонному джерелі, надає можливість формувати атомарну концентрацію та плазму високої густини практично будь-яких металів (Be, Fe, Cr, Ni, Zr, Mo, W та ін.) без необхідності нагрівати джерело до високих температур.

Характеристики
Тип іонів пучка Be, Fe, Cr, Ni, Zr, Mo, W
Струм іонів, мкА 10—200
Енергія іонів, кеВ 30
Зарядність іонів +1, +2
Споживана потужність, Вт 1000

Комерційна вигода та охорона
Заявка щодо реєстрації права інтелектуальної власності на об’єкти промислової власності з наступним одержанням правовстановлюючої документації вже надіслана до відповідного департаменту КМУ.
Стартував етап експериментальної перевірки та розроблення, ведеться аналіз ринку з метою визначення майбутнього попиту та ступеню конкурентоспроможності технології. Прототип пройшов тестування в лабораторних умовах щодо ефективності та працездатності, відбувається вивчення ключових виробничих принципів. Є змога розпочати стадію розширення та визначити перелік потенційних послуг. Для комерційно зацікавлених структур наявний варіант виробництва одиничних зразків винаходу самостійно або разом із зацікавленими партнерами.

Відповісти

Повернутись до “Електричні та електронні пристрої”